产品概述：TMR2103采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2103性能优越，采用两种封装形式：SOP8（6mm × 5mm × 1.5mm）和DFN8（3mm × 3mm × 0.75mm）。

产品特性：（1）隧道磁电阻(TMR)技术；（2）高灵敏度；（3）宽动态范围；（4）更低功耗；（5）优越的温度稳定性；（6）更低的磁滞；（7）宽工作电压范围

典型应用：（1）磁力计；（2）电流传感器；（3）工业流量计；（4）位置传感器；（5）角度传感器

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