对于寻找磁簧开关替代方案以减小开关尺寸、提高开关质量和耐用性、限度延长电池寿命的设计工程师来说，新型隧道磁阻技术能够为他们提供微安级（uA）的开关功耗，同时还具有高灵敏度的特性，且性价比优于磁簧开关。 [详情]

自从多维科技推出革命性的纯国产的芯片TMR1340后，使得完全替换干簧管不但成为可能，而且实践证明性价比更好。多维科技TMR1340芯片，采用新一代TMR隧道磁电阻技术，平均功耗只有1.5uA，完全满足工业标准有4-20mA的功耗要求，如分辨率为10mm，最长可以做到20m，实时工作无休眠模式，频响可以达到1KHZ，完全满足频响的要求。敏感方向与干簧管液位计磁铁完全兼容，厂商无需更换磁铁和更改结构。 [详情]

获得一颗IC芯片要经过从设计到制造漫长的流程，然而一颗芯片相当小且薄，如果不在外施加保护，会被轻易的刮伤损坏。此外，因为芯片的尺寸微小，如果不用一个较大尺寸的外壳，将不易以人工安置在电路板上。而这个时候封装技术就派上用场了，本文接下来介绍了28种芯片封装技术。 [详情]

如果蒸发原子密度的瞬时值在成绩过程中可测量，则可确定撞击到基片上的原子速率，由于这一方法没有累积性，因此必须通过积分运算得到每单位面积上的膜质量或膜厚。 [详情]

薄膜通常通过材料的气态原子凝聚而形成。在薄膜形成的最早阶段，原子凝聚是以三维成核的形式开始，然后通过扩散过程核长大形成连续膜。薄膜形成的方式确实是独特的。薄膜新奇的结构特点和性质大部分归因于生长过程，固而薄膜生长对薄膜科学技术而言是最为基本、最为重要的。 [详情]

跟化学气相沉积方法不同的是，物理气相沉积有独有的优越性，它对沉积材料和基片材料进没有限制。物理气相沉积过程可概括为三个阶段：①从源材料中发射出粒子②从粒子输运到基片③粒子在基片上凝结、成核、长大、成膜。 [详情]

薄膜制备的化学方法需要一定的化学反应，这种化学反应可以有热效应引起或者由离子的电致分离引起，在化学气相沉淀和热生长过程中，化学反应是靠热效应来实现，而在电镀和阳极氧化沉淀过程中则是靠例子的电致分离实现。 [详情]

自动读表技术，是一种将水表、能量表（气表和电表）等流量计中数据自动地传输到控制中心的技术，其中数据包括用户的流量（水、气、电）使用量数据、系统运行健康情况数据，以及流量计的状态数据。 [详情]