产品概述 | |
TMR1223 磁开关芯片是集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器和 CMOS 电路的双极锁存型磁开关芯片，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号，以实现位置的精确检测。该产品包括 X 轴和 Y 轴两轴、两通道、双极锁存开关信号输出，每通道独立供电和输出。 该芯片工作电压范围为 3 V ~ 40 V，芯片单轴静态供电电流低至 0.5 mA，并且保持了 100 kHz 的磁信号响应频率。TMR1223 芯片采用了标准的 DFN8L (3mm × 3mm × 0.75mm) 封装。 |  DFN8L |
产品特性 | |
 隧道磁阻 (TMR) 技术 | 低功耗 (单轴静态电流 0.5 mA) |
| 高频率响应 (至 100 kHz) | 双极锁存型磁开关 |
| 宽工作电压 (3 V ~ 40 V) | 反向耐压 (25 V) |
| Open Drain 开漏输出 | 高灵敏度 |
| 卓越的温度稳定性 | 优越的抗外磁场性能 |
| 符合 RoHS & REACH | |
典型应用 | |
| 接近开关 | 速度检测 |
| 线性及旋转方向检测 | 线性及旋转位置检测 |
