产品概述：TMR21XX系列TMR线性磁场传感器芯片采用了推挽式惠斯通电桥结构，当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，传感器的输出电压随外加磁场线性地变化。TMR21XX系列线性磁场传感器芯片采用SOT23-5的封装形式，具有体积小和容易焊接的特点。该系列包括TMR2108、TMR2109、TMR2110和TMR2111四款TMR线性磁场传感器芯片。

产品特性：（1）隧道磁电阻(TMR)技术；（2）非线性度：±0.5 %；（3）宽线性范围；（4）宽工作电压范围：0.5 V ~ 7 V；（5）低磁滞；（6）高频响：可达500 kHz；（7）工作温度 -40 °C ~ +125 °C。

典型应用：（1）磁力计；（2）电流传感器；（3）位置传感器；（4）角度传感器；；（5）磁导航。

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