产品概述:TMR21XX系列TMR线性磁场传感器芯片采用了推挽式惠斯通电桥结构,当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,传感器的输出电压随外加磁场线性地变化。TMR21XX系列线性磁场传感器芯片采用SOT23-5的封装形式,具有体积小和容易焊接的特点。该系列包括TMR2108、TMR2109、TMR2110和TMR2111四款TMR线性磁场传感器芯片。
产品特性:(1)隧道磁电阻(TMR)技术;(2)非线性度:±0.5 %;(3)宽线性范围;(4)宽工作电压范围:0.5 V ~ 7 V;(5)低磁滞;(6)高频响:可达500 kHz;(7)工作温度 -40 °C ~ +125 °C。
典型应用:(1)磁力计;(2)电流传感器;(3)位置传感器;(4)角度传感器;;(5)磁导航。